A magnetoresistive effect element (1) has an arrangement in which a pair of
ferromagnetic material layers (magnetization fixed layer (5) and
magnetization free layer (7)) is opposed to each other through an
intermediate layer (6) to obtain a magnetoresistive change by causing a
current to flow in the direction perpendicular to the layer surface, the
magnetization free layer (7) is made of a ferromagnetic material
containing FeCoB or FeCoNiB and the magnetization free layer (7) has a
film thickness ranging from 2 nm to 8 nm. A magnetic memory device
comprises this magnetoresistive effect element (1) and bit lines and word
lines sandwiching the magnetoresistive effect element (1) in the thickness
direction. There are provided the magnetoresistive effect element having
satisfactory magnetic characteristics and the magnetic memory device
including this magnetoresistive effect element and which can obtain
excellent write/read characteristics.
Um elemento magnetoresistive do efeito (1) tem um arranjo em que um par de camadas materiais ferromagnetic (magnetização a camada reparada magnetização (5) e mergulha livre (7)) se é oposta com uma camada intermediária (6) para obter uma mudança magnetoresistive fazendo com que uma corrente flua na perpendicular do sentido à superfície da camada, a magnetização mergulha livre (7) é feita de um FeCoB contendo material ferromagnetic ou FeCoNiB e a magnetização mergulham livre (7) têm uma espessura de película variar de 2 nm a 8 nm. Um dispositivo de memória magnético compreende este elemento magnetoresistive do efeito (1) e mordeu as linhas e as linhas da palavra que imprensam o elemento magnetoresistive do efeito (1) no sentido da espessura. É fornecido o elemento magnetoresistive do efeito que tem características magnéticas satisfatórias e o dispositivo de memória magnético including este elemento magnetoresistive do efeito e que pode obter características excelentes de write/read.
