Methods of forming a uniform cell nitride dielectric layer over varying
substrate materials such as an insulation material and a conductive or
semiconductive material, methods of forming capacitors having a uniform
nitride dielectric layer deposited onto varying substrate materials such
as an insulation layer and overlying conductive or semiconductive
electrode, and capacitors formed from such methods are provided. In one
embodiment of forming a uniform cell nitride layer in a capacitor
construction, a surface-modifying agent is implanted into exposed surfaces
of an insulation layer of a capacitor container by low angle implantation
to alter the surface properties of the insulation layer for enhanced
nucleation of the depositing cell nitride material, preferably while
rotating the substrate for adequate implantation of the modifying
substance along the top corner portion of the container. The resulting
cell nitride layer has a uniform thickness over the insulation layer and
the lower electrode, thus eliminating punch-through and corner leakage
problems. The capacitors are particularly useful in fabricating DRAM
cells.
I metodi di formare uno strato dielettrico del nitruro delle cellule dell'uniforme sopra i materiali di variazione del substrato quali un materiale dell'isolamento e un materiale conduttivo o semiconductive, metodi di formare i condensatori che hanno uno strato dielettrico del nitruro dell'uniforme depositati sui materiali di variazione del substrato quale uno strato dell'isolamento e che ricoprono l'elettrodo conduttivo o semiconductive ed i condensatori formati da tali metodi sono forniti. In un incorporamento di formare uno strato del nitruro delle cellule dell'uniforme in una costruzione del condensatore, un agente dimodificazione è impiantato nelle superfici esposte di uno strato dell'isolamento di un contenitore del condensatore tramite impianto basso di angolo per alterare le proprietà di superficie dello strato dell'isolamento per nucleazione aumentata del materiale depositante del nitruro delle cellule, preferibilmente mentre ruota il substrato per impianto sufficiente della sostanza di modificazione lungo la parte d'angolo superiore del contenitore. Lo strato risultante del nitruro delle cellule ha uno spessore dell'uniforme sopra lo strato dell'isolamento e l'elettrodo più basso, così eliminando punzone-attraverso e problemi d'angolo di perdita. I condensatori sono particolarmente utili in cellule fabbricanti di DRAM.
