This invention relates to contact structures for use in integrated circuits
and methods of fabricating contact structures. In one embodiment, a
contact structure includes a conductive layer, one or more barrier layers
formed above the conductive layer, and a barrier structure encircling the
polysilicon layer and the one or more barrier layers. In an alternate
embodiment, a contact structure is fabricated by forming a polysilicon
layer on a substrate, forming a tungsten nitride layer above the
polysilicon layer, and etching the polysilicon layer and the tungsten
nitride layer to a level below the surface of a substrate structure. A
silicon nitride layer is formed above the tungsten nitride layer, and a
ruthenium silicide layer is formed above the silicon nitride layer. The
ruthenium silicide layer is then polished.
Cette invention concerne des structures de contact pour l'usage dans les circuits intégrés et les méthodes de fabriquer des structures de contact. Dans une incorporation, une structure de contact inclut une couche conductrice, une ou plusieurs couches-barrière formées au-dessus de la couche conductrice, et une structure de barrière encerclant la couche de polysilicon et les une ou plusieurs couches-barrière. Dans une incorporation alternative, une structure de contact est fabriquée en formant une couche de polysilicon sur un substrat, en formant une couche de nitrure de tungstène au-dessus de la couche de polysilicon, et en gravant à l'eau-forte la couche de polysilicon et la couche de nitrure de tungstène à un niveau au-dessous de la surface d'une structure de substrat. Une couche de nitrure de silicium est formée au-dessus de la couche de nitrure de tungstène, et une couche de siliciure de ruthénium est formée au-dessus de la couche de nitrure de silicium. La couche de siliciure de ruthénium est alors polie.
