Semiconductor device and method for fabricating the same

   
   

The semiconductor device comprises insulation films 30a-30f formed on a semiconductor substrate 10, and a thermal conductor 42 buried in the insulation films. The thermal conductor is formed on a tube structure of carbon atoms. The thermal conductor is formed on a tube structure of carbon atoms, which is a material of very high thermal conductivity, can effectively radiate heat of a very high generated in semiconductor elements, etc., such as transistors 24a, 24b, etc. Accordingly, the semiconductor device can have good heat radiation characteristics.

Il dispositivo a semiconduttore contiene le pellicole 30a-30f dell'isolamento formate su un substrato 10 a semiconduttore e un conduttore termico 42 sepolto nelle pellicole dell'isolamento. Il conduttore termico è formato su una struttura del tubo degli atomi di carbonio. Il conduttore termico è formato su una struttura del tubo degli atomi di carbonio, che è un materiale di conducibilità termica molto alta, può irradiare efficacemente il calore dell'molto su generato negli elementi a semiconduttore, ecc., quali i transistori 24a, 24b, ecc. Di conseguenza, il dispositivo a semiconduttore può avere buone caratteristiche di radiazione di calore.

 
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