A method of providing even nucleation between silicon and oxide surfaces
for growing uniformly thin silicon nitride layers used in semiconductor
devices. First, a nonconductive nitride-nucleation enhancing monolayer is
formed over a semiconductor assembly having both nitridation receptive and
resistive materials. For purposes of the present invention, a
nitride-nucleation enhancing monolayer is a material that will readily
accept the bonding of nitrogen atoms to the material itself. Next, a
silicon nitride layer is formed over the nonconductive nitride-nucleation
enhancing monolayer. The nonconductive nitride-nucleation enhancing
monolayer provides even nucleation over both the nitridation receptive
material and the nitridation resistive material for silicon nitride,
thereby allowing for the growth of a uniformly thin nitride layer.
Een methode om zelfs nucleation tussen silicium en oxydeoppervlakten voor uniform het kweken van de dunne lagen te verstrekken van het siliciumnitride die in halfgeleiderapparaten worden gebruikt. Eerst, wordt een niet geleidende nitride-nucleation die monolayer verbetert over een halfgeleiderassemblage gevormd die zowel nitridation ontvankelijke als weerstand biedende materialen heeft. Voor de onderhavige uitvinding, is een nitride-nucleation die monolayer verbetert een materiaal dat gemakkelijk het plakken van stikstofatomen aan het materiaal zelf zal goedkeuren. Daarna, wordt een laag van het siliciumnitride over het niet geleidende nitride-nucleation gevormd die monolayer verbetert. Het niet geleidende nitride-nucleation die monolayer verbetert verstrekt zelfs nucleation over zowel het nitridation ontvankelijke materiaal als het nitridation weerstand biedende materiaal voor siliciumnitride, daardoor toestaand voor de groei van een uniform dunne nitridelaag.
