An interconnect structure, which can have three-levels, is formed by a
metallization method in an electrical circuit. The method comprises
providing a substrate assembly and depositing thereon a first dielectric
layer thereover. A second dielectric layer is then deposited over the
first dielectric layer. The second dielectric layer is patterned and
anisotropically etched to form contact corridors. The second dielectric
layer is again patterned and etched to form trenches, some of which are
immediately above the contact corridors. An electrically conductive
material is deposited to fill the contact corridors and trenches, and to
leave a portion of the electrically conductive material above the second
dielectric layer and directly above both the contact corridors and the
trenches. The deposition forms a unitary three-level interconnect having a
contiguous trench below a contact corridor below a metal line, where the
metal line is above the second dielectric layer. An optional
antireflective coating can be deposited to assist in filling the trenches
and contact corridor. Finally, patterning and etching of the electrically
conductive material above the second dielectric layer forms metal lines
for the electrical circuit.
Eine Verknüpfung Struktur, die Dreiniveaus haben kann, wird durch eine Metallizationmethode in einem elektrischen Stromkreis gebildet. Die Methode enthält ein Substrat darauf zur Verfügung stellen und ein erstes dielektrisches Schicht thereover niederlegen. Eine zweite dielektrische Schicht ist dann niedergelegter Überschuß die erste dielektrische Schicht. Die zweite dielektrische Schicht wird patterned und anisotropically geätzt, um Kontaktflure zu bilden. Die zweite dielektrische Schicht wird wieder patterned und geätzt, um Gräben zu bilden, von denen einige sofort über den Kontaktfluren sind. Ein elektrisch leitendes Material wird, um die Kontaktflure und -gräben zu füllen, niedergelegt und einen Teil des elektrisch leitenden Materials über der zweiten dielektrischen Schicht und direkt über den Kontaktfluren und den Gräben zu lassen. Die Absetzung bildet eine einheitliche dreiniveauverknüpfung, die einen angrenzenden Graben unter einem Kontaktflur unterhalb einer Metalllinie hat, in der die Metalllinie über der zweiten dielektrischen Schicht ist-. Eine wahlweise freigestellte antireflective Schicht kann niedergelegt werden, um, im Füllen der Gräben, zu unterstützen und mit Flur in Verbindung zu treten. Schließlich bildet patterning und das Ätzen des elektrisch leitenden Materials über der zweiten dielektrischen Schicht Metalllinien für den elektrischen Stromkreis.
