In a semiconductor light-emitting element, an underlayer is made of AlN layer, and a first cladding layer is made of an n-AlGaN layer. A light-emitting layer is composed of a base layer made of i-GaN and plural island-shaped single crystal portions made of i-AlGaInN isolated in the base layer. Then, at least one rare earth metal element is incorporated into the base layer and/or the island-shaped single crystal portions.

Dans un élément luminescent de semi-conducteur, un underlayer est fait en couche d'AlN, et une première couche de revêtement est faite d'une couche de n-AlGaN. Une couche luminescente se compose de couche basse faite d'i-GaN et parties île-formées plurielles de cristal simple faits en i-AlGaInN d'isolement dans la couche basse. Puis, au moins un élément en métal de terre rare est incorporé à la couche basse et/ou aux parties île-formées de cristal simple.