To allow hydrogen to out-diffuse from a buried Group III-nitride compound semiconductor p-type layer, the wafer is etched to form trenches in the p-type layer to expose sides of the p-type layer. After the etch, the wafer is then annealed. The duration and temperature of the anneal depend upon the spacing of the exposed sides of the p-type layer and the thickness of the p-type layer. The hydrogen diffuses easily through the p-type layer and out the sides exposed by the trenches. The result is a buried p-type layer that is more highly conductive than had the trenches not been formed prior to the anneal. In another embodiment, a surface of an acceptor-doped Group III-V p-type layer is covered with an overlying n-type layer. A portion of the n-type layer is etched to expose the surface of the p-type layer. An anneal is then carried out to out-diffuse hydrogen from the exposed surface of the p-type layer to increase the conductivity of the p-type layer.

Para permitir o hidrogênio para fora-difunda de um p-tipo enterrado camada do semicondutor composto do Iii-iII-nitride do grupo, o wafer é gravado para dar forma a trincheiras no p-tipo camada para expo lados do p-tipo camada. Depois que gravura em àgua forte, o wafer é recozida então. A duração e a temperatura recozer dependem em cima do afastamento dos lados expostos do p-tipo camada e a espessura do p-tipo camada. O hidrogênio difunde fàcilmente através do p-tipo camada e para fora dos lados expostos pelas trincheiras. O resultado é um p-tipo enterrado camada que seja mais altamente condutor do que as trincheiras não tinha sido dado forma antes recozer. Em uma outra incorporação, uma superfície de um p-tipo aceitador-acceptor-doped camada do grupo III-V é coberta com um n-tipo sobrejacente camada. Uma parcela do n-tipo camada é gravada para expo a superfície do p-tipo camada. Recozer é realizado então para fora-difunde o hidrogênio da superfície exposta do p-tipo camada para aumentar o conductivity do p-tipo camada.