A hybrid WDM-TDM optical link employing a hybrid modelocked multi-wavelength semiconductor which provides approximately 4 to approximately 20 wavelength channels that makes possible modulated multiplexed data which when demultiplexed by ultra fast optical demultiplexing provides rates suitable for conventional electronic photo receivers. The link uses single-stripe GaAs/AlGaAs semiconductor optical amplifiers which simultaneously generate from approximately four to more than approximately twenty tunable WDM channels. Diode laser can also include InP, InGaAlP, InGaAsP, InGaP, InGaAs. A four channel version transmits approximately 12 picosecond pulses at approximately 2.5 GHz for an aggregate pulse rate of 100 GHz. When generating approximately 20 wavelength channels, each transmitting approximately 12 picosecond pulses at a rate of approximately 600 MHz, there is provided optical data and transmission systems operating at rates in excess of 800 Gbits/s.

Соединение гибрида WDM-TDM оптически используя гибрид modelocked полупроводник мулти-dliny волны снабубежит приблизительно 4 приблизительно 20 каналов длины волны делает по возможности модулируемые переданные по мултиплексу данные после того как я demultiplexed ультра быстрый оптически demultiplexing обеспечивают тарифы целесообразные для обычных электронных приемников фотоего. Соединение использует усилители полупроводника одиночн-nawivki GaAs/AlGaAs оптически одновременно производят от приблизительно 4 до больше чем приблизительно 20 tunable каналов wdm. Лазер диода может также включить inP, InGaAlP, InGaAsP, InGaP, InGaAs. Вариант 4 каналов передает ИМПЫ ульс приблизительно 12 пикосекунд на приблизительно 2.5 гигагерцы для агрегатного тарифа ИМПА ульс 100 гигагерцев. Производя приблизительно 20 каналов длины волны, каждым передавать ИМПЫ ульс приблизительно 12 пикосекунд на тарифе приблизительно 600 мегациклов, там будет обеспеченными оптически данными и системами передачи работая на тарифах свыше 800 Gbits/s.

 
Web www.patentalert.com

< Method for manufacturing group III nitride compound semiconductor laser diodes

< Forming semiconductor structures including activated acceptors in buried p-type III-V layers

> Semiconductor light-emitting element

> Structure and method of fabrication for an optical switch

~ 00090