A structure for an optical switch includes a reflective layer formed over a high quality epitaxial layer of piezoelectric compound semiconductor materials grown over a monocrystalline substrate, such as a silicon wafer. The piezoelectric layer can be activated to alter the path of light incident on the reflective layer. A compliant substrate is provided for growing the monocrystalline compound semiconductor layer. An accommodating buffer layer comprises a layer of monocrystalline oxide spaced apart from a silicon wafer by an amorphous interface layer of silicon oxide. The amorphous interface layer dissipates strain and permits the growth of a high quality monocrystalline oxide accommodating buffer layer. The accommodating buffer layer is lattice matched to both the underlying silicon wafer and the overlying piezoelectric monocrystalline material layer.

Μια δομή για έναν οπτικό διακόπτη περιλαμβάνει ένα αντανακλαστικό στρώμα που διαμορφώνεται πέρα από ένα υψηλής ποιότητας κρυσταλλικό στρώμα των πιεζοηλεκτρικών σύνθετων υλικών ημιαγωγών που αυξάνονται πέρα από ένα monocrystalline υπόστρωμα, όπως μια γκοφρέτα πυριτίου. Το πιεζοηλεκτρικό στρώμα μπορεί να ενεργοποιηθεί για να αλλάξει την πορεία του ελαφριού γεγονότος στο αντανακλαστικό στρώμα. Ένα υποχωρητικό υπόστρωμα παρέχεται για την ανάπτυξη του monocrystalline σύνθετου στρώματος ημιαγωγών. Ένα στρώμα απομονωτών προσαρμογής περιλαμβάνει ένα στρώμα του monocrystalline οξειδίου που χωρίζεται κατά διαστήματα εκτός από μια γκοφρέτα πυριτίου από ένα άμορφο στρώμα διεπαφών του οξειδίου πυριτίου. Το άμορφο στρώμα διεπαφών διαλύει την πίεση και επιτρέπει την αύξηση ενός υψηλής ποιότητας monocrystalline στρώματος απομονωτών προσαρμογής οξειδίων. Το στρώμα απομονωτών προσαρμογής είναι δικτυωτό πλέγμα που αντιστοιχείται και την ελλοχεύουσα γκοφρέτα πυριτίου και το πιεζοηλεκτρικό monocrystalline υλικό στρώμα κάλυψης.