Antifuse structures, methods, and applications

   
   

A typical integrated circuit includes millions of microscopic transistors, resistors, and other components interconnected to define a circuit, for example a memory circuit. Occasionally, one or more of the components are defective and fabricators selectively replace them by activating spare, or redundant, components included within the circuit. One way of activating a redundant component is to rupture an antifuse that effectively connects the redundant component into the circuit. Unfortunately, conventional antifuses have high and/or unstable electrical resistances which compromise circuit performance and discourage their use. Accordingly, the inventors devised an exemplary antifuse structure that includes three normally disconnected conductive elements and a programming mechanism for selectively moving one of the elements to electrically connect the other two. The programming mechanism includes a chemical composition that when heated releases a gas into a chamber to move one element, like a piston, from the bottom of the chamber to contact two elements overhanging the top of the chamber. This embodiment ultimately promises better performance because the element that completes the electrical connection has a relatively low and relatively stable resistance.

Een typische geïntegreerde schakeling omvat miljoenen microscopische transistors, weerstanden, en andere componenten die onderling om worden verbonden om een kring te bepalen, bijvoorbeeld een geheugenkring. Nu en dan, zijn één of meer van de componenten gebrekkig en fabricators vervangen hen selectief door reserveonderdelen te activeren, of overtollig, componenten inbegrepen binnen de kring. Één manier om een overtollige component te activeren is een antifuse te verbreken die effectief de overtollige component met de kring aansluit. Jammer genoeg, hebben conventionele antifuses hoge en/of onstabiele elektroweerstanden die de prestaties van de compromiskring en hun gebruik afraden. Dienovereenkomstig, bedachten de uitvinders een voorbeeldige antifusestructuur die drie normaal losgemaakte geleidende elementen en een programmeringsmechanisme om omvat één van de elementen selectief te bewegen om andere twee elektrisch te verbinden. Het programmeringsmechanisme omvat een chemische samenstelling dat wanneer verwarmde versies een gas in een kamer om één element, zoals een zuiger, van de bodem van de kamer tot contact twee te leiden elementen die de bovenkant van de kamer overhangen. Deze belichaming belooft uiteindelijk betere prestaties omdat het element dat de elektroverbinding voltooit een vrij lage en vrij stabiele weerstand heeft.

 
Web www.patentalert.com

< Magnetoresistive element

< Dielectric stack without interfacial layer

> Spin valve transistor, magnetic reproducing head and magnetic information storage system

> Methods for isolation of osteoclast precursor cells and inducing their differentiation into osteoclasts

~ 00165