A method of forming a dielectric stack device having a plurality of layers
comprises the steps of providing a silicon substrate, forming a
metal-oxide layer on a silicon oxide layer which is formed on the silicon
substrate, and performing an annealing with respect to the metal-oxide
layer and the silicon oxide layer until a silicate layer is formed to
replace the metal-oxide layer and the silicon oxide layer is removed,
wherein the annealing is performed at a temperature between about
800.degree. C. and about 1000.degree. C. for a time period between about 1
second and about 10 minutes. After forming the silicon oxide layer on the
silicon substrate, the metal-oxide layer may be deposited on the silicon
oxide layer. Alternatively, the metal-oxide layer may be deposited on the
silicon substrate, and the silicon oxide layer grows between the
metal-oxide layer and the silicon substrate. The metal-based oxide is
preferably an Yttrium-based oxide.
Un método de formar un dispositivo dieléctrico del apilado que tiene una pluralidad de capas abarca los pasos de proporcionar un substrato del silicio, formando una capa de óxido metálico en una capa del óxido del silicio que se forme en el substrato del silicio, y realizando un recocido con respecto a la capa de óxido metálico y a la capa del óxido del silicio hasta que una capa del silicato se forma para substituir la capa de óxido metálico y se quita la capa del óxido del silicio, en donde el recocido se realiza en una temperatura entre alrededor 800.degree. C. y sobre 1000.degree. C. para un período entre cerca de 1 segundo y cerca de 10 minutos. Después de formar la capa del óxido del silicio en el substrato del silicio, la capa de óxido metálico se puede depositar en la capa del óxido del silicio. Alternativomente, la capa de óxido metálico se puede depositar en el substrato del silicio, y la capa del óxido del silicio crece entre la capa de óxido metálico y el substrato del silicio. El óxido metal-basado es preferiblemente un óxido Itrio-basado.
