A magnetoresistive element of the present invention includes a multilayer
structure that includes a non-magnetic layer (3) and a pair of
ferromagnetic layers (1, 2) stacked on both sides of the non-magnetic
layer (3). A resistance value differs depending on a relative angle
between the magnetization directions of the ferromagnetic layers (1, 2) at
the interfaces with the non-magnetic layer (3). The composition of at
least one of the ferromagnetic layers (1, 2) in a range of 2 nm from the
interface with the non-magnetic layer (3) is expressed by (M.sub.x
O.sub.y).sub.1-z Z.sub.z, where Z is at least one element selected from
the group consisting of Ru, Os, Rh, Ir, Pd, Pt, Cu, Ag, and Au, M is at
least one element selected from the group consisting of elements other
than Z and O and includes a ferromagnetic metal, and x, y, and z satisfy
0.33
Магниторезистивный элемент присытствыющего вымысла вклюает разнослоистую структуру вклюает немагнитный слой (3) и пару сегнетомагнитных слоев (1, 2) штабелировано на обеих сторонах немагнитного слоя (3). Значение сопротивления отличает в зависимости от относительного угла между направлениями замагничивания сегнетомагнитных слоев (1, 2) на поверхностях стыка с немагнитным слоем (3). Состав по крайней мере одного из сегнетомагнитных слоев (1, 2) в ряде 2 nm от поверхности стыка с немагнитным слоем (3) выражено мимо (M.sub.x O.sub.y).sub.1-z Z.sub.z, где з по крайней мере один элемент выбранный от группы consist of ru, os, rh, иКая, палладиум, пинта, cu, ag, и au, м по крайней мере один элемент выбранный от элементов группы consist of за исключением з и о и вклюает сегнетомагнитный металл, и х, ы, и з удовлетворяют 0.33
