The present invention pertains to methods for forming high quality thin
interface oxide layers suitable for use with high-k gate dielectrics in
the manufacture of semiconductor devices. An ambient that contains oxygen
and a reducing agent is utilized to grow the layers. The oxygen
facilitates growth of the layers, while the reducing agent simultaneously
counteracts that growth. The rate of growth of the layers can thus be
controlled by regulating the partial pressure of the reducing agent, which
is the fraction of the reducing agent in the gas phase times the total
pressure. Controlling and slowing the growth rate of the layers
facilitates production of the layers to thicknesses of about 10 Angstroms
or less at temperatures of about 850 degrees Celsius or more. Growing the
layers at high temperatures facilitates better bonding and production of
higher quality layers, which in turn yields better performing and more
reliable resulting products.
De onderhavige uitvinding behoort tot methodes om de dunne lagen van uitstekende kwaliteit te vormen van het interfaceoxyde geschikt voor gebruik met hoog-k poortdiëlektrica in de vervaardiging van halfgeleiderapparaten. Omringend die bevat wordt zuurstof en een verminderende agent gebruikt om de lagen te kweken. De zuurstof vergemakkelijkt de groei van de lagen, terwijl de verminderende agent gelijktijdig die groei tegengaat. Het groeipercentage lagen kan zo worden gecontroleerd door de gedeeltelijke druk van de verminderende agent te regelen, die de fractie van de verminderende agent in de tijden van de gasfase de totale druk is. Het controleren van en het vertragen van het groeipercentage lagen vergemakkelijken productie van de lagen aan dikten van ongeveer 10 Angstroms of minder bij temperaturen van ongeveer 850 graden van Celsius of meer. Het kweken van de lagen bij hoge temperaturen vergemakkelijkt beter het plakken en productie van hogere kwaliteitslagen, die in draaiopbrengsten het betere presteren en betrouwbaardere resulterende producten.
