An apparatus and a method for providing a heat sink on an upper surface of
a semiconductor chip by placing a heat-dissipating material thereon which
forms a portion of a glob top. The apparatus comprises a semiconductor
chip attached to and in electrical communication with a substrate. A
barrier glob top material is applied to the edges of the semiconductor
chip on the surface ("opposing surface") opposite the surface attached to
the substrate to form a wall around a periphery of the opposing surface of
the semiconductor chip wherein the barrier glob top material also extends
to contact and adhere to the substrate. The wall around the periphery of
the opposing surface of the semiconductor chip forms a recess. A
heat-dissipating glob top material is disposed within the recess to
contact the opposing surface of the semiconductor chip.
Un aparato y un método para proporcionar un disipador de calor en una superficie superior de un semiconductor saltan poniendo un material calor-que se disipa sobre eso que forme una porción de una tapa del glob. El aparato abarca una viruta del semiconductor unida y en a la comunicación eléctrica con un substrato. Un material de la tapa del glob de la barrera se aplica a los bordes de la viruta del semiconductor en el superficial (de "superficie oposición") enfrente de la superficie unió al substrato para formar una pared alrededor de una periferia de la superficie de oposición de la viruta del semiconductor en donde el material de la tapa del glob de la barrera también extiende al contacto y adhiere al substrato. La pared alrededor de la periferia de la superficie de oposición de la viruta del semiconductor forma una hendidura. Un material superior del glob calor-que se disipa se dispone dentro de la hendidura para entrar en contacto con la superficie de oposición de la viruta del semiconductor.
