A semiconductor memory device, a nonvolatile memory device and a magnetic
memory device of high reliability are obtained. A semiconductor device as
the magnetic memory device includes TMR cells as memory elements, and a
stacked interconnection as an interconnection. The stacked interconnection
has a first interconnection made of a barrier metal film and a conductor,
and a second interconnection made of another barrier metal film and
another conductor and stacked on the first interconnection. The stacked
interconnection is arranged opposite to the TMR cells. The stacked
interconnection is made thicker in the portions facing the TMR cells than
in the portions not facing the TMR cells.
Eine Halbleiterspeichervorrichtung, eine Permanentspeichervorrichtung und ein magnetisches größtintegriertes Speicherbauelement der hohen Zuverlässigkeit werden erhalten. Ein Halbleiterelement als das magnetische größtintegrierte Speicherbauelement schließt TMR Zellen als Gedächtniselemente und eine Staplungsverbindung als Verbindung ein. Die Staplungsverbindung hat eine erste Verbindung, die von einem Sperre Metallfilm und von einem Leiter gebildet werden, und eine zweite Verbindung, die von einem anderen Sperre Metallfilm und von einem anderen Leiter gebildet wird und auf der ersten Verbindung gestapelt ist. Die Staplungsverbindung wird gegenüber den TMR Zellen geordnet. Die Staplungsverbindung wird stärker in den Teilen gebildet, welche die TMR Zellen als in den Teilen gegenüberstellen, welche nicht die TMR Zellen gegenüberstellen.
