A semiconductor capacitor configured so as to use buried wirings, as
electrodes, formed in an interlayer dielectric is provided on a
semiconductor substrate which is capable of preventing an increase in a
number of manufacturing processes with occurrence of parasitic capacity
being suppressed. The semiconductor capacitor has a capacitive insulating
film made up of an etching stopper film formed only in a region being
sandwiched between a via plug serving as an upper electrode and a lower
electrode, in which the capacitive insulating film is not formed in a
region other than the facing region.
Een halfgeleidercondensator wordt gevormd die om begraven bedradingen, als elektroden te gebruiken, wordt die in een diëlektrische tussenlaag worden gevormd verstrekt op een halfgeleidersubstraat dat een verhoging van een aantal productieprocessen met voorkomen van parasitische capaciteit kan verhinderen die wordt onderdrukt. De halfgeleidercondensator heeft een capacitieve isolerende film die uit een film wordt van de etskurk die slechts in een gebied wordt gevormd samengesteld dat tussen a via stop die als hogere elektrode dient en een lagere elektrode wordt geklemd, waarin de capacitieve isolerende film niet in een gebied buiten het onder ogen ziende gebied wordt gevormd.
