In the semiconductor device of the present invention, a plurality of dummy
patterns are formed in a grid arrangement in the scribe line areas of a
wafer, and a plurality of dummy patterns are formed in a diagonally
forward skipped arrangement in the chip interior areas of the wafer.
Altering the arrangement of dummy patterns in the chip interior areas and
scribe line areas in this way enables formation of dummy patterns with
greater uniformity in the chip interior areas and enables formation of
dummy patterns with greater resistance to loss that occurs when dicing in
scribe line areas.
В прибора на полупроводниках присытствыющего вымысла, множественность думмичных картин сформирована в расположении решетки в зонах линии подьячей вафли, и множественность думмичных картин сформирована в раскосно вперед прыгнутом расположении в зонах обломока нутряных вафли. Изменять расположение думмичных картин в зонах обломока нутряных и зон линии подьячей в этой дороге включает образование думмичных картин с большим единообразием в зонах обломока нутряных и включает образование думмичных картин с большим сопротивлением к потере происходит dicing в зонах линии подьячей.
