A silicon nitride film and a silicon oxynitride film as an antireflection
coating are successively formed on a silicon substrate. The silicon
nitride film and the silicon oxynitride film are patterned. A reduction
treatment for reducing the amount of oxygen atoms is performed on the
silicon oxynitride film. The silicon oxynitride film after the reduction
treatment and the silicon nitride film are used as a mask to etch the
silicon substrate, thereby forming a trench in a main surface of the
silicon substrate. This trench is filled with an insulating film.
Пленка нитрида кремния и пленка oxynitride кремния как покрытие antireflection последовательно сформированы на субстрате кремния. Сделаны по образцу пленка нитрида кремния и пленка oxynitride кремния. Обработка уменьшения для уменьшения количества атомов кислорода выполнена на пленке oxynitride кремния. Пленка oxynitride кремния после обработки уменьшения и пленка нитрида кремния использованы по мере того как маска для того чтобы вытравить субстрат кремния, таким образом формируя шанец в главной поверхности субстрата кремния. Этот шанец заполнен с изолируя пленкой.
