A extreme ultraviolet (EUV) mask blank having a reflective stack formed by
depositing repeated periods of a silicon layer, a first barrier layer, a
molybdenum layer, and a second barrier layer using atomic layer deposition
is discussed. Precursors using silane and hydrogen are used to form the
silicon layer. The first and second barrier layers are preferably
different thicknesses of the same material and can be formed using
precursors including diborane and methane. In one embodiment, the
molybdenum layer is formed using precursors including hydrogen and
molybdenum pentachloride or molybdenum pentaiodide. An EUV mask used to
pattern a photoresist layer to form an integrated circuit is manufactured
from the EUV mask blank.
Um espaço em branco ultravioleta extremo da máscara (EUV) que tem uma pilha reflexiva dada forma por períodos repetidos depositando de uma camada do silicone, de uma primeira camada de barreira, de uma camada do molibdênio, e de uma segunda camada de barreira que usa o deposition atômico da camada é discutido. Os precursors usando o silane e o hidrogênio são usados dar forma à camada do silicone. As primeiras e segundas camadas de barreira são espessuras preferivelmente diferentes do mesmo material e podem ser dadas forma usando precursors including o diborane e o methane. Em uma incorporação, a camada do molibdênio é dada forma usando precursors including pentaiodide do pentachloride do hidrogênio e do molibdênio ou do molibdênio. Uma máscara de EUV usada modelar uma camada de photoresist para dar forma a um circuito integrado é manufactured do espaço em branco da máscara de EUV.
