The invention includes a method for treating a plurality of discrete
semiconductor substrates. The discrete semiconductor substrates are placed
within a reactor chamber. While the substrates are within the chamber,
they are simultaneously exposed to one or more of H, F and Cl to remove
native oxide. After removing the native oxide, the substrates are
simultaneously exposed to a first reactive material to form a first mass
across at least some exposed surfaces of the substrates. The first
reactive material is removed from the reaction chamber, and subsequently
the substrates are exposed to a second reactive material to convert the
first mass to a second mass. The invention also includes apparatuses which
can be utilized for simultaneous ALD treatment of a plurality of discrete
semiconductor substrates.
Η εφεύρεση περιλαμβάνει μια μέθοδο για μια πολλαπλότητα των ιδιαίτερων υποστρωμάτων ημιαγωγών. Τα ιδιαίτερα υποστρώματα ημιαγωγών τοποθετούνται μέσα σε μια αίθουσα αντιδραστήρων. Ενώ τα υποστρώματα είναι μέσα στην αίθουσα, εκτίθενται ταυτόχρονα σε ένα ή περισσότερα από το χ, το φ και το CL για να αφαιρέσουν το εγγενές οξείδιο. Μετά από να αφαιρέσουν το εγγενές οξείδιο, τα υποστρώματα εκτίθενται ταυτόχρονα σε ένα πρώτο αντιδραστικό υλικό για να διαμορφώσουν μια πρώτη μάζα τουλάχιστον σε μερικές εκτεθειμένες επιφάνειες των υποστρωμάτων. Το πρώτο αντιδραστικό υλικό αφαιρείται από την αίθουσα αντίδρασης, και στη συνέχεια τα υποστρώματα εκτίθενται σε ένα δεύτερο αντιδραστικό υλικό για να μετατρέψουν την πρώτη μάζα σε μια δεύτερη μάζα. Η εφεύρεση περιλαμβάνει επίσης τις συσκευές που μπορούν να χρησιμοποιηθούν για την ταυτόχρονη επεξεργασία ALD μιας πολλαπλότητας των ιδιαίτερων υποστρωμάτων ημιαγωγών.
