A laser-irradiation method which comprises a process for fabricating a
semiconductor device, comprising: a first step of forming a thin film
amorphous semiconductor on a substrate having an insulating surface; a
second step of modifying the thin film amorphous semiconductor into a
crystalline thin film semiconductor by irradiating a pulse-type linear
light and/or by applying a heat treatment; a third step of implanting an
impurity element which imparts a one conductive type to the crystalline
thin film semiconductor; and a fourth step of activating the impurity
element by irradiating a pulse-type linear light and/or by applying a heat
treatment; wherein the peak value, the peak width at half height, and the
threshold width of the laser energy in the second and the fourth steps
above are each distributed within a range of approximately .+-.3% of the
standard value. Also claimed is a laser irradiation device which realizes
the method above.
Eine Laser-Bestrahlung Methode, die einen Prozeß für das Fabrizieren eines Halbleiterelements enthält, enthalten: ein erster Schritt der Formung eines formlosen Halbleiters des Dünnfilms auf einem Substrat, das eine isolierende Oberfläche hat; ein zweiter Schritt des Änderns des formlosen Halbleiters des Dünnfilms in einen kristallenen Dünnfilmhalbleiter durch das Bestrahlen einer Impuls-Art lineares Licht und/oder durch das Anwenden einer Wärmebehandlung; ein dritter Schritt des Einpflanzens eines Verunreinigung Elements, das eine ein leitende Art zum kristallenen Dünnfilmhalbleiter zuteilt; und ein vierter Schritt des Aktivierens des Verunreinigung Elements durch das Bestrahlen einer Impuls-Art lineares Licht und/oder durch das Anwenden einer Wärmebehandlung; worin der Höchstwert, die Höchstbreite auf halber Höhe und die Schwelle Breite der Laser Energie in der zweiten und der vierten Schritte oben jeder sind, der ungefähr innerhalb eines Bereiches des +-.3% des Standardwertes verteilt wird. Auch behauptet eine Laser Bestrahlungvorrichtung, die die Methode oben verwirklicht.
