Contacts are formed to integrated circuit devices by first forming a
conductive layer (80) on a semiconductor device. An optional dielectric
layer (130) is formed over the conductive layer and a carbon containing
dielectric layer (140) is formed over the optional dielectric layer (130).
Contacts are formed to the conductive layer (80) by etching openings in
the carbon containing dielectric layer (140) and the optional dielectric
layer (130).
Контакты сформированы к приспособлениям интегрированной цепи сперва формировать проводной слой (80) на прибора на полупроводниках. Опционный диэлектрический слой (130) сформирован над проводным слоем и углеродом содержа диэлектрический слой (140) сформирован над опционным диэлектрическим слоем (130). Контакты сформированы к проводному слою (80) путем вытравлять отверстия в углероде содержа диэлектрический слой (140) и опционный диэлектрический слой (130).
