A semiconductor device is disclosed, which comprises a semiconductor
substrate, a gate insulating film formed on the semiconductor substrate, a
gate electrode layer formed on the gate insulating film, source and drain
regions formed at both sides of the gate electrode layer, and a channel
region between the source and drain regions, wherein the gate electrode
layer comprises a polycrystalline silicon layer and a metal layer formed
between the gate insulating film and the polycrystalline silicon layer,
and the metal layer has an electron density of 1.0.times.10.sup.21
atoms/cm.sup.3 or more.
Een halfgeleiderapparaat wordt onthuld, dat uit een halfgeleidersubstraat bestaat, een poort isolerende film die op het halfgeleidersubstraat wordt gevormd, een laag van de poortelektrode die op de bron en afvoerkanaal gebieden van het van de poort isolerende film wordt gevormd, die aan beide kanten van de laag van de poortelektrode worden gevormd, en een kanaalgebied tussen de bron en afvoerkanaalgebieden, waarin de laag van de poortelektrode uit een polycrystalline siliciumlaag en uit een metaallaag die tussen de poort isolerende film wordt gevormd en uit de polycrystalline siliciumlaag bestaat, en de metaallaag hebben een elektronendichtheid van atomen 1.0.times.10.sup.21/cm.sup.3 of meer.
