A semiconductor device that has a p-n junction with a photosensitive region
partially having a diffusion region and a non-diffused region when the p-n
junction is subjected to a reverse bias voltage. When an incident light
(e.g. a laser) is directed at the surface of the photosensitive region,
hole-electron pairs are generated in the partial diffusion region within
the photosensitive region. As a result, the current through the
photosensitive region changes in a substantially linear fashion with the
intensity of the incident light. The semiconductor device can be
configured in a circuit to provide substantially linear power
amplification. The semiconductor device can be configured by itself or
with a complimentary device to form push-pull operations.
Ein Halbleiterelement, das eine p-n Verzweigung mit einer lichtempfindlichen Region hat, die teilweise eine Diffusion (Zerstäubung) Region und eine nicht-zerstreute Region, wenn die p-n Verzweigung, hat einer Gegenmagnetisierung Spannung unterworfen wird. Wenn ein Ereignislicht (z.B. ein Laser) an der Oberfläche der lichtempfindlichen Region verwiesen wird, werden Bohrung-Elektron Paare in der teilweisen Diffusion (Zerstäubung) Region innerhalb der lichtempfindlichen Region erzeugt. Infolgedessen ändert der Strom durch die lichtempfindliche Region auf eine im wesentlichen lineare Art und Weise mit der Intensität des Ereignislichtes. Das Halbleiterelement kann in einem Stromkreis zusammengebaut werden, um im wesentlichen lineare Energie Verstärkung zur Verfügung zu stellen. Das Halbleiterelement selbst kann oder mit einer höflichen Vorrichtung zusammengebaut werden, um Gegentaktbetriebe zu bilden.
