Non-volatile memory devices according to embodiments of the invention can
include, for example, a semiconductor substrate, a source region, a drain
region, an impurity region, a vertical structure, a control gate
insulating layer, a control gate electrode, a gate insulating layer, and a
gate electrode. The impurity region is in a floating state between the
source region and the drain region. The vertical structure is formed of a
tunneling layer, a charge trapping layer, and a blocking layer
sequentially stacked between the source region and the impurity region.
The control gate insulating layer is between the source region and the
impurity region and adjacent to the vertical structure. The control gate
electrode is formed on the vertical structure and the control gate
insulating layer. The gate insulating layer is between the impurity region
and the drain region. The gate electrode is formed on the gate insulating
layer.
Οι συσκευές αμετάβλητης μνήμης σύμφωνα με τις ενσωματώσεις της εφεύρεσης μπορούν να περιλάβουν, παραδείγματος χάριν, ένα υπόστρωμα ημιαγωγών, μια περιοχή πηγής, μια περιοχή αγωγών, μια περιοχή ακαθαρσιών, μια κάθετη δομή, ένα στρώμα μόνωσης πυλών ελέγχου, ένα ηλεκτρόδιο πυλών ελέγχου, ένα στρώμα μόνωσης πυλών, και ένα ηλεκτρόδιο πυλών. Η περιοχή ακαθαρσιών είναι σε ένα επιπλέον κράτος μεταξύ της περιοχής πηγής και της περιοχής αγωγών. Η κάθετη δομή διαμορφώνεται ενός να ανοίξει στρώματος, ενός στρώματος παγίδευσης δαπανών, και ενός στρώματος φραξίματος που συσσωρεύεται διαδοχικά μεταξύ της περιοχής πηγής και της περιοχής ακαθαρσιών. Το στρώμα μόνωσης πυλών ελέγχου είναι μεταξύ της περιοχής πηγής και της περιοχής ακαθαρσιών και δίπλα στην κάθετη δομή. Το ηλεκτρόδιο πυλών ελέγχου διαμορφώνεται στην κάθετη δομή και το στρώμα μόνωσης πυλών ελέγχου. Το στρώμα μόνωσης πυλών είναι μεταξύ της περιοχής ακαθαρσιών και της περιοχής αγωγών. Το ηλεκτρόδιο πυλών διαμορφώνεται στο στρώμα μόνωσης πυλών.
