A MOS device with first and second freestanding semiconductor bodies formed
on a substrate. The first freestanding semiconductor body has a first
portion thereof disposed at a non-orientation orthogonal, non parallel
orientation with respect to a first portion of the second freestanding
semiconductor body. These portions of said first and second freestanding
semiconductor bodies have respective first and second crystalline
orientations. A first gate electrode crosses over at least part of said
first portion of said first freestanding semiconductor body at a
non-orthogonal angle, as does a second gate electrode over the first
portion of the second freestanding semiconductor body.
Un dispositif de MOS avec les corps d'abord et en second lieu indépendants de semi-conducteur a formé sur un substrat. Le premier corps indépendant de semi-conducteur a une première partie en disposée à une non-orientation orthogonale, orientation non parallèle en ce qui concerne une première partie du deuxième corps indépendant de semi-conducteur. Ces parties de ledit première et corps en second lieu indépendants de semi-conducteur ont les premières et en second lieu cristallines orientations respectives. Une première électrode de porte croise la pièce d'excédent au moins de ladite première partie de ledit premier corps indépendant de semi-conducteur à un angle non-orthogonal, de même que un deuxième excédent d'électrode de porte la première partie du deuxième corps indépendant de semi-conducteur.
