Capacitor of semiconductor device and fabrication method thereof

   
   

The present invention relates to a capacitor of a semiconductor device and to a method for its fabrication; and, more particularly, to a capacitor of a semiconductor device that can reduce current leakage and compensate for the Bi substances that have volatilized at a high temperature by providing an amorphous bismuth oxide layer at least at one of the upper and lower parts of a ferroelectric layer containing Bi or at both locations, and to a fabrication method therefor. The capacitor of the semiconductor device of the present invention comprises: a first electrode formed on a substrate; a ferroelectric layer containing bismuth formed on the first electrode; a second electrode formed on the ferroelectric layer containing bismuth; and an amorphous bismuth oxide layer positioned at least at one of the places between the first electrode and the ferroelectric layer and between the ferroelectric layer and the electrode or at both locations.

De onderhavige uitvinding heeft op een condensator van een halfgeleiderapparaat en op een methode voor zijn vervaardiging betrekking; en, meer in het bijzonder, aan een condensator van een halfgeleiderapparaat dat huidige lekkage kan verminderen en de substanties van Bi compenseren die vluchtig hebben bij op hoge temperatuur door een amorfe laag van het bismutoxyde op zijn minst bij één van de hogere en lagere delen van een ferroelectric laag gemakt die Bi daarvoor bevat of bij beide plaatsen, en aan een vervaardigingsmethode te verstrekken. De condensator van het halfgeleiderapparaat van de onderhavige uitvinding bestaat uit: een eerste elektrode die op een substraat wordt gevormd; een ferroelectric laag die bismut bevat dat op de eerste elektrode wordt gevormd; een tweede elektrode die op de ferroelectric laag wordt gevormd die bismut bevat; en een amorfe laag van het bismutoxyde die op zijn minst bij één van de plaatsen tussen de eerste elektrode en de ferroelectric laag en tussen de ferroelectric laag en de elektrode of bij beide plaatsen wordt geplaatst.

 
Web www.patentalert.com

< Amorphous silicon photovoltaic devices

< Single crystal TFT from continuous transition metal delivery method

> Capacitor fabrication method

> Storage capacitor structure for LCD and OELD panels

~ 00129