A TFT fabricated from a single crystal grain, and fabrication method has
been provided. A large crystal grain is made by precise control of
annealment, transition metal concentration, the density of transition
metal nucleation sites, and the distance between nucleation sites. In one
aspect of the invention, a diffusion layer permits the continual delivery
of transition metal at a rate that both supports the lateral growth of
di-silicide, and large distances between nucleation sites.
Un TFT fabriqué d'un grain de cristal simple, et la méthode de fabrication a été fourni. Un grand grain en cristal est fait par commande précise d'annealment, concentration en métal de transition, la densité des emplacements de nucléation en métal de transition, et la distance entre les emplacements de nucléation. Dans un aspect de l'invention, une couche de diffusion permet la livraison continuelle du métal de transition à un taux que les deux supporte la croissance latérale du disiliciure, et à de grandes distances entre les emplacements de nucléation.
