The present invention relates to a structure and a fabrication method of a
storage capacitor used in the pixel region of a display panel such as LCD
or OELD. The present invention simultaneously forms a poly-crystalline
silicon TFT and a storage capacitor in the pixel region of a display panel
using MILC phenomena. By applying MILC inducing metal along at least two
edges of storage capacitor, the time required to crystallize the silicon
layer in storage capacitor region may be significantly reduced.
Присытствыющий вымысел относит к структуре и технология изготовления конденсатора хранения используемого в зоне пиксела пульта индикации such as lcd или OELD. Присытствыющий вымысел одновременно формирует поликристаллический кремний TFT и конденсатор хранения в зоне пиксела пульта индикации использующ явления MILC. Путем прикладывать MILC наводя металл вдоль по крайней мере 2 краев конденсатора хранения, время необходимо, что выкристаллизовывало слой кремния в зоне конденсатора хранения может значительно быть уменьшено.
