Dielectric layer liner for an integrated circuit structure

   
   

An integrated circuit structure (8) includes a plurality of solid state electronic devices and a plurality of conductive elements (12, 14) that electrically couple the electronic devices. The integrated circuit structure (8) also includes a dielectric layer (16) positioned between two or more of the conductive elements (12, 14). A liner (18) is positioned between at least a portion of the dielectric layer (16) and a conductive element (12, 14). The liner (18) is formed from a compound that includes silicon and either carbon and nitrogen.

Uma estrutura do circuito integrado (8) inclui um plurality de dispositivos eletrônicos de estado contínuo e um plurality dos elementos condutores (12, 14) esses acopla eletricamente os dispositivos eletrônicos. A estrutura do circuito integrado (8) inclui também uma camada dieléctrica (16) posicionada entre dois ou mais dos elementos condutores (12, 14). Um forro (18) é posicionado entre ao menos uma parcela da camada dieléctrica (16) e um elemento condutor (12, 14). O forro (18) é dado forma de um composto que inclua o silicone e o um ou outro carbono e nitrogênio.

 
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< Control of MTJ tunnel area

> Method for manufacturing non-volatile memory device and non-volatile memory device and semiconductor device

> Conductive lines, coaxial lines, integrated circuitry, and methods of forming conductive lines, coaxial lines, and integrated circuitry

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