Semiconductor structures are provided with on-board deuterium reservoirs or
with deuterium ingress paths which allow for diffusion of deuterium to
semiconductor device regions for passivation purposes. The on-board
deuterium reservoirs are in the form of plugs which extend through an
insulating layer and a deuterium barrier layer to the semiconductor
substrate, and are preferably positioned in contact with a shallow trench
oxide which will allow diffusion of deuterium to the semiconductor
devices. The deuterium ingress paths extend through thin film layers from
the top or through the silicon substrate. The latter include shallow
trench isolations formed in a semiconductor substrate which are adjacent
and connected to semiconductor devices formed in the semiconductor
substrate, and where the back portion of the semiconductor substrate has
been polished or ground down to the bottom of the shallow trench
isolation, thereby allowing deuterium, during an anneal, to diffuse from
the back through the shallow trench isolation to the semiconductor devices
in the semiconductor substrate.
Le strutture a semiconduttore sono fornite i serbatoi del deuterio di on-bordo o dei percorsi dell'ingresso del deuterio che tengono conto diffusione del deuterio alle regioni del dispositivo a semiconduttore per gli scopi di passività. I serbatoi del deuterio di on-bordo sono sotto forma di le spine che si estendono con uno strato isolante e uno strato di sbarramento del deuterio fino il substrato a semiconduttore e preferibilmente sono posizionati in contatto con un ossido poco profondo della trincea che permetterà la diffusione del deuterio ai dispositivi a semiconduttore. I percorsi dell'ingresso del deuterio si estendono con gli strati della pellicola sottile dalla parte superiore o attraverso il substrato del silicone. Il posteriori includono gli isolamenti poco profondi della trincea formati in un substrato a semiconduttore che sono adiacenti e collegati ai dispositivi a semiconduttore formati nel substrato a semiconduttore e dove la parte posteriore del substrato a semiconduttore è stata lucidata o macinato stata giù alla parte inferiore dell'isolamento poco profondo della trincea, quindi permettendo che il deuterio, durante la tempera, si diffonda dalla parte posteriore con l'isolamento poco profondo della trincea ai dispositivi a semiconduttore nel substrato a semiconduttore.
