In the present invention, a semiconductor device is formed which includes
an MIM capacitor located on the upper surface of a heterostructure from
which the emitter, base and collector sections of a nearby HBT are
defined. In this way the capacitor and HBT share a substantially common
structure, with the base and emitter electrodes of the HBT fashioned from
the same metal layers as the upper and lower capacitor plates,
respectively. Furthermore, as the insulator region of the capacitor is
formed prior to definition of the HBT structure, the dielectric material
used can be deposited by means of a plasma enhanced process, without
damaging the HBT structure.
Na invenção atual, um dispositivo de semicondutor é dado forma que inclua um capacitor MIM situado na superfície superior de um heterostructure de que o emissor, seções da base e do coletor de um HBT próximo é definido. Nesta maneira o capacitor e parte de HBT uma estrutura substancialmente comum, com os elétrodos da base e do emissor do HBT formados das mesmas camadas do metal que as placas superiores e mais baixas do capacitor, respectivamente. Além disso, enquanto a região do isolador do capacitor é dada forma antes da definição da estrutura de HBT, o material dieléctrico usado pode ser depositado por meio de um processo realçado plasma, sem danificar a estrutura de HBT.
