It is an object to provide a semiconductor device in which a structure of a
capacitor is simplified. Any electrical connection of a capacitor (CP10)
and source--drain regions (11) and (13) is carried out by a contact plug
(101) inserted in the capacitor (CP10) and reaching the source--drain
regions (11) and (13). The capacitor (CP10) has a capacitor upper
electrode (103) provided to be embedded in an upper main surface of an
interlayer insulating film (3) and a capacitor dielectric film (102)
provided to cover a side surface and a lower surface of the capacitor
upper electrode (103). Moreover, the capacitor dielectric film (102) is
also provided to cover a side surface of the contact plug (101) formed to
penetrate through the capacitor upper electrode (103), and a portion of
the contact plug (101) which is covered with the capacitor dielectric film
(102) functions as the capacitor lower electrode (101).
Es un objeto para proporcionar un dispositivo de semiconductor en el cual una estructura de un condensador se simplifique. Cualquier conexión eléctrica de un condensador (CP10) y la fuente -- drene las regiones (11) y (13) es realizado por un enchufe del contacto (101) insertado en el condensador (CP10) y alcanzar la fuente -- drenan regiones (11) y (13). El condensador (CP10) tiene un electrodo superior del condensador (103) proporcionado para ser encajado en una superficie principal superior de una película aislador de la capa intermediaria (3) y de una película dieléctrica del condensador (102) proporcionada para cubrir una superficie lateral y una superficie más baja del electrodo superior del condensador (103). Por otra parte, la película dieléctrica del condensador (102) también se proporciona para cubrir una superficie lateral del enchufe del contacto (101) formado para penetrar a través del electrodo superior del condensador (103), y una porción del enchufe del contacto (101) que se cubren con funciones dieléctricas de la película del condensador las 102) (como del condensador el electrodo más bajo (101).
