A semiconductor device has a first semiconductor region formed in a
semiconductor substrate and having a first conductivity type due to
first-conductivity-type active impurities contained in the first
semiconductor region, and a second semiconductor region formed between the
first semiconductor region and the surface of the semiconductor substrate
and having a second conductivity type due to second-conductivity-type
active impurities contained in the second semiconductor region. The second
semiconductor region contains first-conductivity-type active impurities
whose concentration is zero or smaller than a quarter of a concentration
of the second-conductivity-type active impurities contained in the second
semiconductor region. An insulating film and a conductor are formed on the
second semiconductor region. Third and fourth semiconductor regions of the
second conductivity type are formed at the semiconductor surface in
contact with the side faces of the second semiconductor region. This
semiconductor device is capable of suppressing net impurity concentration
variations as well as threshold voltage variations to be caused by a short
channel effect or manufacturing variations.
Прибора на полупроводниках имеет первую сформированную зону полупроводника в субстрате полупроводника и иметь первый тип проводимости должный к примесям перв-проводимост-tipa, котор активно содержат в первой зоне полупроводника, и вторую зону полупроводника сформированную между первой зоной полупроводника и поверхностью субстрата полупроводника и иметь второй тип проводимости должный к примесям втор-проводимост-tipa, котор активно содержат в второй зоне полупроводника. Вторая зона полупроводника содержит примеси перв-проводимост-tipa активно концентрация zero или более мала чем четверть концентрации примесей втор-проводимост-tipa, котор активно содержат в второй зоне полупроводника. Изолируя пленка и проводник сформированы на второй зоне полупроводника. Третьи и четвертые зоны полупроводника второго типа проводимости сформированы на поверхности полупроводника in contact with бортовые стороны второй зоны полупроводника. Этот прибора на полупроводниках способен подавлять сетчатые изменения концентрации примеси также,как изменения напряжения тока порога, котор будет причинять скоро влияние канала или изготовлять изменения.
