A semiconductor device has a first semiconductor layer composed of a group
III-V nitride, an oxide film formed by oxidizing a second semiconductor
layer composed of a group III-V nitride to be located on the gate
electrode formation region of the first semiconductor layer, an insulating
film formed on the oxide film to have a composition different from the
composition of the oxide film, and a gate electrode formed on the
insulating film.
Un dispositif de semi-conducteur a une première couche de semi-conducteur composée de nitrure du groupe III-V, de film d'oxyde constitué en oxydant une deuxième couche de semi-conducteur composée de nitrure du groupe III-V à situer sur la région de formation d'électrode de porte de la première couche de semi-conducteur, de film isolant formé sur le film d'oxyde pour avoir une composition différente de la composition du film d'oxyde, et d'électrode de porte formée sur le film isolant.
