The crystallization method by laser light irradiation forms a multiplicity
of convexes (ridges) in the surface of an obtained crystalline
semiconductor film, deteriorating film quality. Therefore, it is a problem
to provide a method for forming a ridge-reduced semiconductor film and a
semiconductor device using such a semiconductor film. The present
invention is characterized by heating a semiconductor film due to a heat
processing method (RTA method: Rapid Thermal Anneal method) to irradiate
light emitted from a lamp light source after crystallizing the
semiconductor film by laser light, thereby reducing the ridge.
El método de la cristalización por la irradiación de la luz laser forma una multiplicidad de cuerpos (cantos) en la superficie de una película cristalina obtenida del semiconductor, deteriorando calidad de la película. Por lo tanto, es un problema para proporcionar un método para formar una película canto-reducida del semiconductor y un dispositivo de semiconductor usando tal película del semiconductor. La actual invención es caracterizada calentando una película del semiconductor debido a un método de la transformación del calor (método de RTA: La termal rápida recuece método) para irradiar la luz emitió de una fuente de luz de la lámpara después de cristalizar la película del semiconductor por la luz laser, de tal modo reduciendo el canto.
