The present invention relates to a method of forming a thin film in a
semiconductor device. According the method, the thin film is formed by
alternately repeating an atomic layer deposition (ALD) method and a plasma
enhanced atomic layer deposition (PEALD) method and further by adjusting
the ratio of repetition times of the methods, so that it is possible to
adjust and estimate the growth rate, density, and material properties such
as refraction index, dielectric constant, electric resistance, etc.
Присытствыющий вымысел относит к методу формировать тонкую пленку в прибора на полупроводниках. Согласовывающ метод, тонкая пленка сформирована друг повторять атомный метод низложения слоя (ALD) и увеличенный плазмой атомный метод низложения слоя (PEALD) и дальнейше путем регулировать коэффициент времен повторения методов, так, что будет по возможности отрегулировать и оценить темпыа роста, плотность, и материальные свойства such as индекс рефракции, диэлектрическая константа, электрическое сопротивление, etc.
