A cost-efficient and reliable method for assessing lateral dopant profiles
includes the estimation of a reference profile formed below a gate
structure of a transistor device. The overlap capacitance is then
determined for at least two different overlaps, created by different
spacer widths, and the lateral extension of a dopant profile to be
measured, is estimated on the basis of a relationship between overlap
capacitance and spacer width for the reference dopant profile.
Μια οικονομικά αποδοτική και αξιόπιστη μέθοδος για τα πλευρικά σχεδιαγράμματα υλικού πρόσμιξης περιλαμβάνει την εκτίμηση ενός σχεδιαγράμματος αναφοράς που διαμορφώνεται κάτω από μια δομή πυλών μιας συσκευής κρυσταλλολυχνιών. Η ικανότητα επικάλυψης καθορίζεται έπειτα τουλάχιστον δύο διαφορετικές επικαλύψεις, που δημιουργούνται για από τα διαφορετικά πλάτη πλήκτρων διαστήματος, και η πλευρική επέκταση ενός σχεδιαγράμματος υλικού πρόσμιξης που μετριέται, υπολογίζεται βάσει μιας σχέσης μεταξύ της ικανότητας επικάλυψης και του πλάτους πλήκτρων διαστήματος για το σχεδιάγραμμα υλικού πρόσμιξης αναφοράς.
