A drain loaded 1T1R resistive memory device and 1T1R resistive memory array
are provided. The resistive memory array comprises an array of drain
loaded 1T1R resistive memory device structures. Word lines are connected
across transistor gates, while a resistive elements are connected between
transistor gates and bit lines. The resistive element comprises a material
with a resistance that is changed electrically, for example using a
sequence of electric pulses. The resistive element may comprise PCMO.
Un bloc de mémoires 1T1R résistif chargé par drain et une rangée résistive de la mémoire 1T1R sont fournis. La rangée résistive de mémoire comporte une rangée des structures résistives chargées par drain de bloc de mémoires 1T1R. Des lignes de mot sont reliées à travers des portes de transistor, alors que des éléments résistifs sont reliés entre les portes de transistor et mordaient des lignes. L'élément résistif comporte un matériel avec une résistance qui est changée électriquement, par exemple employant un ordre des impulsions électriques. L'élément résistif peut comporter PCMO.
