A method for increasing the critical temperature, T.sub.c, of a high
critical temperature superconducting (HTS) film (104) grown on a substrate
(102) and a superconducting structure (100) made using the method. The HTS
film has an a-b plane parallel to the surface of the substrate and a
c-direction normal to the surface of the substrate. Generally, the method
includes providing the substrate, growing the HTS film on the substrate
and, after the HTS film has been grown, inducing into the HTS film a
residual compressive strain the a-b plane and a residual tensile strain
into the c-direction.
Un método para aumentar la temperatura crítica, T.sub.c, de una película superconducting de la alta temperatura crítica (HTS) (104) crecida en un substrato (102) y una estructura superconducting (100) hizo con el método. La película de HTS tiene un paralelo plano del a-b a la superficie del substrato y de una c-direccio'n normales a la superficie del substrato. Generalmente, el método incluye el abastecimiento del substrato, creciendo la película de HTS en el substrato y, después de que se haya crecido la película de HTS, induciendo en la película de HTS una tensión compresiva residual el plano del a-b y una tensión extensible residual en la c-direccio'n.
