A semiconductor device and a manufacturing method therefor are provided,
the semiconductor device having a good reverse recovery characteristic,
and having no reduction in breakdown voltage because no defect occurs in
the upper main surface of a Si substrate even when wires are bonded onto
an anode electrode. A semiconductor device includes a Si substrate
including an N.sup.+ cathode layer and an N.sup.- layer. An impurity such
as platinum whose barrier height is less than that of silicon is
introduced into upper regions of the N.sup.- layer where P anode layers
are not formed, thereby forming Schottky junction regions. A barrier metal
is formed between the Si substrate and an anode electrode.
Un dispositif de semi-conducteur et une méthode de fabrication pour cette fin sont fournis, le dispositif de semi-conducteur ayant une bonne caractéristique renversée de rétablissement, et n'ayant aucune réduction de tension claque parce qu'aucun défaut ne se produit dans la surface principale supérieure d'un substrat de silicium même lorsque des fils sont collés sur une électrode d'anode. Un dispositif de semi-conducteur inclut un substrat de silicium comprenant une couche de cathode de N.sup.+ et un N.sup. - couche. Une impureté telle que le platine dont la taille de barrière est inférieure cela du silicium est présentée dans des régions supérieures du N.sup. - posent où des couches d'anode de P ne sont pas formées, formant de ce fait des régions de jonction de Schottky. Un métal de barrière est formé entre le substrat de silicium et une électrode d'anode.
