A dopant is ion-implanted into a second region (52) of a polycrystalline
silicon film (50) for a resistive element (5). Nitrogen or the like is
ion-implanted into a second region (62) of a polycrystalline silicon film
(60) for a resistive element (6). The density of crystal defects in the
second regions (52, 62) is higher than that in first regions (51, 61). The
density of crystal defects in a polycrystalline silicon film (70) for a
resistive element (7) is higher near a silicide film (73). A
polycrystalline silicon film (80) for a resistive element (8) is in
contact with a substrate (2) with a silicide film in an opening of an
isolation insulating film (3). The density of crystal defects in a
substrate surface (2S) near the silicide film is higher than that in the
vicinity. With such a structure, a current leak in an isolation region can
be reduced.
Een additief wordt ionen-geïnplanteerd in een tweede gebied (52) van een polycrystalline siliciumfilm (50) voor een weerstand biedende elementen (5) Stikstof of dergelijke wordt ionen-geïnplanteerd in een tweede gebied (62) van een polycrystalline siliciumfilm (60) voor een weerstand biedend element (6). De dichtheid van kristaltekorten in de tweede gebieden (52..62) is hoger dan dat in eerste gebieden (51..61). De dichtheid van kristaltekorten in een polycrystalline siliciumfilm (70) voor een weerstand biedend element (7) is hoger dichtbij een silicide film (73). Een polycrystalline siliciumfilm (80) voor een weerstand biedend element (8) is in contact met een substraat (2) met een silicide film in het openen van een isolatie isolerende film (3). De dichtheid van kristaltekorten in een substraatoppervlakte (2S) dichtbij de silicide film is hoger dan dat in de nabijheid. Met een dergelijke structuur, kan een huidig lek in een isolatiegebied worden verminderd.
