A new digital follower device is achieved. The digital follower device
comprises an n-channel vertical FET device and a p-channel vertical FET
device. Each vertical FET device comprises a bulk region in a
semiconductor substrate. The bulk region comprises a first doping type. A
STI region is in the bulk region. A drain region is on a first side of the
STI region. The drain region overlies the bulk region. The drain region
comprises the first doping type. A gate region is on a second side of the
STI region. The gate region comprises the first doping type. A voltage on
the gate region controls a vertical channel in the bulk region. A buried
region is between the gate region and the bulk region. The buried region
comprises a second doping type. The n-channel FET device drain and the
p-channel FET device drain are connected together. The n-channel FET
device, gate and the p-channel FET device gate are connected together.
Новое цифровое приспособление следующего достигано. Цифровое приспособление следующего состоит из приспособления fet н-kanala вертикального и приспособления fet п-kanala вертикального. Каждое вертикальное приспособление fet состоит из навальной зоны в субстрате полупроводника. Навальная зона состоит из первого давая допинг типа. Зона STI находится в навальной зоне. Зона стока находится на первой стороне зоны STI. Зона стока overlies навальная зона. Зона стока состоит из первого давая допинг типа. Зона строба находится на второй стороне зоны STI. Зона строба состоит из первого давая допинг типа. Напряжение тока на зоне строба контролирует вертикальный канал в навальную зону. Похороненная зона находится между зоной строба и навальной зоной. Похороненная зона состоит из второго давая допинг типа. Сток приспособления fet н-kanala и сток приспособления fet п-kanala соединены совместно. Приспособление fet н-kanala, строб и строб приспособления fet п-kanala соединены совместно.
