The bipolar transistor of the present invention includes a Si collector
buried layer, a first base region made of a SiGeC layer having a high C
content, a second base region made of a SiGeC layer having a low C content
or a SiGe layer, and a Si cap layer 14 including an emitter region. The C
content is less than 0.8% in at least the emitter-side boundary portion of
the second base region. This suppresses formation of recombination centers
due to a high C content in a depletion layer at the emitter-base junction,
and improves electric characteristics such as the gain thanks to reduction
in recombination current, while low-voltage driving is maintained.
El transistor bipolar de la actual invención incluye una capa enterrada colector del silicio, una primera región de la base hecha de una capa de SiGeC que tiene un alto contenido de C, una segunda región de la base hecha de una capa de SiGeC que tiene un contenido bajo de C o de una capa de SiGe, y de una capa 14 del casquillo del silicio incluyendo una región del emisor. El contenido de C es menos de 0.8% en por lo menos la porción del límite del emisor-lado de la segunda región de la base. Esto suprime la formación de los centros de la recombinación debido a un alto contenido de C en una capa de agotamiento en la ensambladura de la emisor-base, y mejora características eléctricas tales como los gracias del aumento a la reducción en corriente de la recombinación, mientras que se mantiene el conducir de baja tensión.
