Tunneling magnetoresistive element and method of manufacturing the same

   
   

Insulating layers are formed on both sides of a multilayer film, and bias layers are formed in contact with at least portions of both end surfaces of a free magnetic layer. The bias layers are formed so as not to extend to the upper surface of the multilayer film. In this construction, a sensing current from electrode layers appropriately flows through the multilayer film, and a bias magnetic field can be supplied to the free magnetic layer from the bias layers through both side surfaces of the free magnetic layer. Furthermore, the magnetic domain structure of the free magnetic layer can be stabilized to permit an attempt to decrease instability of the reproduced waveform and Barkhausen noise.

Τα στρώματα μόνωσης διαμορφώνονται και στις δύο πλευρές μιας πολυστρωματικής ταινίας, και τα προκατειλημμένα στρώματα διαμορφώνονται σε επαφή με τουλάχιστον τις μερίδες και των δύο επιφανειών τελών ενός ελεύθερου μαγνητικού στρώματος. Τα προκατειλημμένα στρώματα διαμορφώνονται ώστε να μη επεκταθούν στην ανώτερη επιφάνεια της πολυστρωματικής ταινίας. Σε αυτήν την κατασκευή, ένα αισθαμένος ρεύμα από τα στρώματα ηλεκτροδίων διατρέχει κατάλληλα της πολυστρωματικής ταινίας, και ένα προκατειλημμένο μαγνητικό πεδίο μπορεί να παρασχεθεί στο ελεύθερο μαγνητικό στρώμα από τα προκατειλημμένα στρώματα και μέσω των δύο δευτερευουσών επιφανειών του ελεύθερου μαγνητικού στρώματος. Επιπλέον, η μαγνητική δομή περιοχών του ελεύθερου μαγνητικού στρώματος μπορεί να σταθεροποιηθεί για να επιτρέψει μια προσπάθεια να μειωθεί η αστάθεια του αναπαραγμένων κυματοειδούς και του θορύβου Barkhausen.

 
Web www.patentalert.com

< High magnetoresistance spin valve sensor with self-pinned antiparallel (AP) pinned layer structure

< Perpendicular recording head with return poles which reduce flux antenna effect

> Write head architecture for improved manufacturability

> Magnetic memory having antiferromagnetically coupled recording layer

~ 00116