A magnetoresistive element has a ferromagnetic double tunnel junction
having a stacked structure of a first antiferromagnetic layer/a first
ferromagnetic layer/a first dielectric layer/a second ferromagnetic
layer/a second dielectric layer/a third ferromagnetic layer/a second
antiferromagnetic layer. The second ferromagnetic layer that is a free
layer consists of a Co-based alloy or a three-layered film of a Co-based
alloy/a Ni--Fe alloy/a Co-based alloy. A tunnel current is flowed between
the first ferromagnetic layer and the third ferromagnetic layer.
Eine Feldplatte hat eine ferromagnetische doppelte Tunnelverzweigung, eine Staplungsstruktur einer erstes antiferromagnetic layer/a erstes ferromagnetisches layer/a erstes zu haben ferromagnetischen layer/a des Nichtleiters layer/a an zweiter Stelle ferromagnetisches layer/a zweites an zweiter Stelle antiferromagnetic Schicht des Nichtleiters layer/a drittes. Die zweite ferromagnetische Schicht, die eine freie Schicht ist, besteht aus einer Co-gegründeten Legierung oder einem drei-überlagerten Film eines Co-gegründeten alloy/a Ni -- F.E. alloy/a Co-gegründete Legierung. Ein Tunnelstrom wird zwischen die erste ferromagnetische Schicht und die dritte ferromagnetische Schicht geflossen.
