Selective filtering of wavelength-converted semiconductor light emitting devices

   
   

A light emitting device includes a semiconductor light emitting device chip having a top surface and a side surface, a wavelength-converting material overlying at least a portion of the top surface and the side surface of the chip, and a filter material overlying the wavelength-converting material. The chip is capable of emitting light of a first wavelength, the wavelength-converting material is capable of absorbing light of the first wavelength and emitting light of a second wavelength, and the filter material is capable of absorbing light of the first wavelength. In other embodiments, a light emitting device includes a filter material capable of reflecting light of a first wavelength and transmitting light of a second wavelength.

Un dispositivo que emite ligero incluye una viruta ligera del dispositivo del semiconductor que emite que tiene una superficie superior y una superficie lateral, el longitud de onda-convertir materiales cubriendo por lo menos una porciĆ³n de la superficie superior y de la superficie lateral de la viruta, y un filtro material cubriendo el material longitud de onda-que convierte. La viruta es capaz de emitir la luz de una primera longitud de onda, el material longitud de onda-que convierte es capaz de absorber la luz de la primera longitud de onda y de emitir la luz de una segunda longitud de onda, y el material del filtro es capaz de absorber la luz de la primera longitud de onda. En otras encarnaciones, un dispositivo que emite ligero incluye un material del filtro capaz de reflejar la luz de una primera longitud de onda y de transmitir la luz de una segunda longitud de onda.

 
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< Methods of forming quantum dots of Group IV semiconductor materials

> Programmable multiwavelength modelocked laser

> Optical device, surface emitting type device and method for manufacturing the same

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