Enhanced brightness light emitting device spot emitter

   
   

The amount of usefully captured light in an optical system may be increased by concentrating light in a region where it can be collected by the optical system. A light emitting device may include a substrate and a plurality of semiconductor layers. In some embodiments, a reflective material overlies a portion of the substrate and has an opening through which light exits the device. In some embodiments, reflective material overlies a portion of a surface of the semiconductor layers and has an opening through which light exits the device. In some embodiments, a light emitting device includes a transparent member with a first surface and an exit surface. At least one light emitting diode is disposed on the first surface. The transparent member is shaped such that light emitted from the light emitting diode is directed toward the exit surface.

Die Menge des nützlich gefangengenommenen Lichtes in einem optischen System kann durch das Konzentrieren des Lichtes in einer Region erhöht werden, in der sie durch das optische System gesammelt werden kann. Eine helle ausstrahlende Vorrichtung kann ein Substrat und eine Mehrzahl der Halbleiterschichten einschließen. In einigen Verkörperungen überlagert ein reflektierendes Material einen Teil des Substrates und hat eine Öffnung, durch die helle Ausgänge die Vorrichtung. In einigen Verkörperungen überlagert reflektierendes Material einen Teil einer Oberfläche der Halbleiterschichten und hat eine Öffnung, durch die helle Ausgänge die Vorrichtung. In einigen Verkörperungen schließt eine helle ausstrahlende Vorrichtung ein transparentes Mitglied mit einer ersten Oberfläche und einer Ausgang Oberfläche ein. Mindestens wird eine lichtemittierende Diode auf der ersten Oberfläche abgeschaffen. Dem transparenten Mitglied wird so geformt, daß das Licht, das von der lichtemittierenden Diode ausgestrahlt wird, in Richtung zur Ausgang Oberfläche verwiesen wird.

 
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< P-type transparent copper-aluminum-oxide semiconductor

< Epitaxial growth of nitride semiconductor device

> Methods of forming quantum dots of Group IV semiconductor materials

> Selective filtering of wavelength-converted semiconductor light emitting devices

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