General purpose methods for the fabrication of integrated circuits from
flexible membranes formed of very thin low stress dielectric materials,
such as silicon dioxide or silicon nitride, and semiconductor layers.
Semiconductor devices are formed in a semiconductor layer of the membrane.
The semiconductor membrane layer is initially formed from a substrate of
standard thickness, and all but a thin surface layer of the substrate is
then etched or polished away. In another version, the flexible membrane is
used as support and electrical interconnect for conventional integrated
circuit die bonded thereto, with the interconnect formed in multiple
layers in the membrane. Multiple die can be connected to one such
membrane, which is then packaged as a multi-chip module. Other
applications are based on (circuit) membrane processing for bipolar and
MOSFET transistor fabrication, low impedance conductor interconnecting
fabrication, flat panel displays, maskless (direct write) lithography, and
3D IC fabrication.
Les méthodes tout usage pour la fabrication des circuits intégrés des membranes flexibles ont formé des matériaux diélectriques de bas effort très mince, tels que le bioxyde de silicium ou le nitrure de silicium, et le semi-conducteur pose. Des dispositifs de semi-conducteur sont formés dans une couche de semi-conducteur de la membrane. La couche de membrane de semi-conducteur est au commencement formée d'un substrat d'épaisseur standard, et de tout sauf une couche extérieure mince du substrat est alors gravée à l'eau-forte ou loin polie. Dans une autre version, la membrane flexible est utilisée comme le soutien et l'interconnexion électrique de la matrice conventionnelle de circuit intégré ont collé là-dessus, avec l'interconnexion formée dans des couches multiples dans la membrane. La matrice multiple peut être reliée à une telle membrane, qui est alors empaquetée comme module de multi-morceau. D'autres applications sont basées sur la membrane (de circuit) traitant pour la fabrication bipolaire et de transistor MOSFET de transistor, le bas conducteur d'impédance reliant ensemble la fabrication, les affichages sur écran plat, (direct écrivez) la lithographie maskless, et la fabrication de l'IC 3D.
